收藏本站
IXGN
200N60B
160
140
Fig. 7. Transconductance
10
9
Fig. 8. Dependence of Turn-off
Energy Loss on R G
T J = 125 o C
120
100
T J = -40 o C
25 o C
125 o C
8
7
6
V GE = 15V
V CE = 480V
I C = 100A
80
5
60
40
20
4
3
2
I C = 50A
0
0
20
40
60 80 100 120
I C - Amperes
140
160
180
1
2
3
4
5 6
R G - Ohms
7
8
9
10
5
Fig. 9. Dependence of Turn-Off
Energy Loss on I C
6
Fig. 10. Dependence of Turn-off
Energy Loss on Tem perature
5
4
4
R G = 2.7 ?
V GE = 15V
V CE = 480V
T J = 125 o C
T J = 25 o C
5
5
4
4
R G = 2.7 ?
V GE = 15V
V CE = 480V
I C = 100A
3
3
3
2
2
3
2
2
1
I C = 50A
50
55
60
65
70 75 80
I C - Amperes
85
90
95
100
25
35
45
55 65 75 85 95
T J - Degrees Centigrade
105 115 125
Fig. 11. Dependence of Turn-off
Fig. 12. Dependence of Turn-off
700
Sw itching Tim e on R G
350
Sw itching Tim e on I C
t d(off)
600
t fi - - - - - -
T J = 125oC
I C = 50A
100A
300
t d(off)
500
400
300
V GE = 15V
V CE = 480V
I C = 100A
250
200
150
t fi - - - - -
R G = 2.7 ?
V GE = 15V
V CE = 480V
T J = 25 o C
T J = 125 o C
50A
200
100
100
50
2
3
4
5 6
R G - Ohms
7
8
9
10
50
60
70 80
I C - Amperes
90
100
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXGN400N30A3 IGBT 300V SOT-227B
IXGN400N60A3 IGBT 400A 600V SOT-227B
IXGN400N60B3 IGBT 600V 430A SOT-227
IXGN50N120C3H1 IGBT 1200V 95A SOT-227
IXGN50N60B IGBT 75A 600V SOT-227B
IXGN60N60C2 IGBT 600V 75A SOT-227B
IXGN60N60 IGBT 600V 100A SOT-227B
IXGN72N60A3 IGBT 160A 600V SOT-227B
相关代理商/技术参数
IXGN200N60B3 功能描述:IGBT 晶体管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 200A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGN320N60A3 功能描述:IGBT 晶体管 320 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGN400N30A3 功能描述:IGBT 晶体管 400 Amps 300V 1.15 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGN400N60A3 功能描述:IGBT 晶体管 400 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGN400N60B3 功能描述:IGBT 模块 Mid-Frequency Range PT IGBTs RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
IXGN40N60CD1 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGN50N120C3H1 功能描述:IGBT 模块 High Frequency Range >40khz CIGBT w/Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
IXGN50N60B 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.3 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube